تضمین قیمت منصفانه
ضمانت اصالت کالاها
پشتیبانی سریع 24/7
تحویل سریع در کمترین زمان ممکن
Specification
Manufacturer: Infineon
Product Category: MOSFET
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V
Id – Continuous Drain Current: 49 A
Rds On – Drain-Source Resistance: 17.5 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V
Minimum Operating Temperature: – 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd – Power Dissipation: 94 W
Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement
Height: 15.65 mm
Length: 10 mm
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: HEXFET Power MOSFET
Width: 4.4 mm
Brand: Infineon / IR
Forward Transconductance – Min: 19 S
Fall Time: 45 ns
Product Type: MOSFET
Rise Time: 60 ns
Factory Pack Quantity: 100
Subcategory: MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time: 44 ns
Typical Turn-On Delay Time: 12 ns
Unit Weight: 0.211644 oz
محصولات مشابه:
-
نمره 0 از 5فروش ویژه
120,000 تومان88,000 تومان -
نقشه شماتیک ساخت و شمای کامل برد پاوربانک Fast Charge ورژن ۲۰۲۴ بهمراه فایل PCB و نقشه شماتیک آلتیوم
نمره 0 از 5180,000 تومان -
نمره 0 از 5فروش ویژه
389,000 تومان310,000 تومان -
نمره 0 از 5فروش ویژه
625,000 تومان545,000 تومان
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.